參數(shù)資料
型號： SI4412DY
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Single N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
中文描述： 7000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： SI4412DY
Si4412ADY
Vishay Siliconix
Document Number: 71105
S-03951—Rev. B, 26-May-03
www.vishay.com
2-1
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
30
0.024 @ V
GS
= 10 V
0.035 @ V
GS
= 4.5 V
8
6.6
S
D
S
D
S
D
G
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
N-Channel MOSFET
D
D
G
S
D
D
S
S
Ordering Information:
Si4412ADY
Si4412ADY-T1 (with Tape and Reel)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
8
5.8
T
A
= 70 C
6.4
4.6
A
Pulsed Drain Current (10 s Pulse Width)
I
DM
30
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
2.3
1.2
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.5
1.3
W
T
A
= 70 C
1.6
0.8
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
45
50
Steady State
80
95
C/W
Maximum Junction-to-Foot
Steady State
R
thJF
16
20
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
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PDF描述
SI4413DY P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Si4420BDY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4420DY N-channel enhancement mode field-effect transistor
Si4420DY N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET
SI4420DY Single N-Channel Logic Level PowerTrencha MOSFET
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參數(shù)描述
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SI4412DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 7.0A 2.5W 28mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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