參數(shù)資料
型號(hào)： SI4405DY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道30V的MOSFET
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 43K
代理商： SI4405DY-T1
FEATURES
TrenchFET Power MOSFETS
100% R
g
Tested
APPLICATIONS
Battery and Load Switching
- Notebook Computers
- Notebook Battery Packs
Si4405DY
Vishay Siliconix
Document Number: 71913
S-31726—Rev. D, 18-Aug-03
www.vishay.com
1
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
-30
0.0075 @ V
GS
= -10 V
-17
S
D
S
D
S
D
G
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
S
G
D
P-Channel MOSFET
Ordering Information:
Si4405DY
Si4405DY-T1 (with Tape and Reel)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
-17
-11
T
A
= 70 C
-13
-9
A
Pulsed Drain Current
I
DM
-60
continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
-2.9
-1.30
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
3.5
1.6
W
T
A
= 70 C
2.1
1.0
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
29
35
Steady State
67
80
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
13
16
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4411DY P-Channel 30-V (D-S) MOSFE
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Si4418DY-T1-E3 N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
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參數(shù)描述
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SI4406DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 20A 3.5W 4.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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