參數(shù)資料
型號： SI4403BDY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
中文描述： P通道的1.8 V（GS）的MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 39K
代理商： SI4403BDY-T1
TrenchFET Power MOSFETS
Load Switch
– Game Stations
– Notebooks
– Desktops
Si4403DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71683
S-04393—Rev. A, 13-Aug-01
www.vishay.com
1
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.017 @ V
GS
= –4.5 V
–9
–20
0.023 @ V
GS
= –2.5 V
–7
0.032 @ V
GS
= –1.8 V
–6
S
D
S
D
S
D
G
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
S
G
D
P-Channel MOSFET
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–20
Gate-Source Voltage
V
GS
8
V
T
A
= 25 C
–9
–6.5
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 70 C
I
D
–7
–5.0
Pulsed Drain Current
I
DM
–30
A
continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
–2.1
–1.3
T
A
= 25 C
2.5
1.35
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 70 C
P
D
1.6
0.87
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
10 sec
38
50
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
71
92
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
19
25
Notes
a
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
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PDF描述
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