參數(shù)資料
型號： SI4401DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
中文描述： P通道40 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 37K
代理商： SI4401DY
Si4401DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71226
S-03452
—
Rev. C, 09-Apr-01
www.vishay.com
3
–
r
D
)
0
1300
2600
3900
5200
6500
0
6
12
18
24
30
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
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0
2
4
6
8
10
0
15
30
45
60
75
0.000
0.008
0.016
0.024
0.032
0.040
0
10
20
30
40
50
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 V
I
D
= 10.5 A
I
D
–
Drain Current (A)
V
GS
= 10 V
I
D
V
GS
= 10 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
–
Q
g
–
Total Gate Charge (nC)
C
–
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
–
Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0
2
4
6
8
10
T
J
= 25 C
I
D
= 10.5 A
50
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
–
r
D
)
V
SD
–
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 150 C
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