參數(shù)資料
型號： SI3457DV
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Single P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
中文描述： 4000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： SI3457DV
Si3457BDV
Vishay Siliconix
Document Number: 72019
S-40424—Rev. D, 15-Mar-04
www.vishay.com
1
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
30
0.054 @ V
GS
=
10 V
5.0
0.100 @ V
GS
=
4.5 V
3.7
(1, 2, 5, 6) D
(4) S
(3) G
P-Channel MOSFET
TSOP-6
Top View
6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
Ordering Information:
Si3457BDV-T1
Si3457BDV-T1—E3 (Lead Free)
Marking Code:
7Bxxx
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
5.0
3.7
T
A
= 70 C
4.0
3.0
A
Pulsed Drain Current
I
DM
20
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.7
0.95
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.0
1.14
W
T
A
= 70 C
1.3
0.73
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
5 sec
R
thJA
53
62.5
Steady State
90
110
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
25
36
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI3459DV Static Protection Wrist Grounder; Features:For use with Type 725 3M Wrist Strap Monitor; Four (29.4, 40.2, 4.99 & 11.5 MOhm) 1% 1/4W metal film resistor test plugs and case RoHS Compliant: NA
SI3460DV N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Si3460DV-T1 N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3467DV P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
Si3467DV-T1-E3 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI3457DV_Q 功能描述:MOSFET SSOT6 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3457DV-T1 功能描述:MOSFET 30V 4.3A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3457DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 4.3A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3458-B01-IM 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:POWER OVER ETHERNET CHIP QFN 56PIN 8X8MM - Bulk
SI3458BDV 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
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