型號: | SI3459DV |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
英文描述: | Static Protection Wrist Grounder; Features:For use with Type 725 3M Wrist Strap Monitor; Four (29.4, 40.2, 4.99 & 11.5 MOhm) 1% 1/4W metal film resistor test plugs and case RoHS Compliant: NA |
中文描述: | P通道60 - V(下局副局長)MOSFET的 |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大小: | 62K |
代理商: | SI3459DV |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SI3460DV | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
Si3460DV-T1 | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
SI3467DV | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold |
Si3467DV-T1-E3 | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold |
SI3469DV | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SI3459DV-T1 | 功能描述:MOSFET 60V 2.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI3459DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 2.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI3459DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 2.2A 2.0W 200mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI3460 | 制造商:SILABS 制造商全稱:SILABS 功能描述:IEEE 802.3af PSE INTERFACE AND DC-DC CONTROLLER |
SI3460BDV | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |