型號: | Si3460DV-T1 |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
英文描述: | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
中文描述: | N溝道20 - V(下局副局長)MOSFET的 |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大?。?/td> | 65K |
代理商: | SI3460DV-T1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SI3460DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 6.8A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI3460DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 6.8A 2.0W 38mohm @ 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
Si3460-E02-GM | 功能描述:熱插拔功率分布 IEEE 802.3af PSE w/DC-DC CTRLR RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品:Controllers & Switches 電流限制: 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 0.3 V 工作溫度范圍: 功率耗散: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:MSOP-8 封裝:Tube |
SI3460-E02-GMR | 功能描述:IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - 電源管理 - 專用 系列:- 標準包裝:1 系列:- 應(yīng)用:手持/移動設(shè)備 電流 - 電源:- 電源電壓:3 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:14-WFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:14-LLP-EP(4x4) 包裝:Digi-Reel® 配用:LP3905SD-30EV-ND - BOARD EVALUATION LP3905SD-30 其它名稱:LP3905SD-30DKR |
Si3460-E03-GM | 功能描述:熱插拔功率分布 Single-port PoE PSE I/F w/DC-DC ctrlr RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品:Controllers & Switches 電流限制: 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 0.3 V 工作溫度范圍: 功率耗散: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:MSOP-8 封裝:Tube |