參數(shù)資料
型號： SI3473DV
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道12 V的（副）MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： SI3473DV
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET: 1.8-V Rated
Ultra Low On-Resistance
APPLICATIONS
Load Switch
PA Switch
Si3473DV
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71937
S-22122—Rev. B, 25-Nov-02
www.vishay.com
1
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.023 @ V
GS
= -4.5 V
-7.9
-12
0.029 @ V
GS
= -2.5 V
- 7.0
0.041 @ V
GS
= -1.8 V
- 5.9
(4) S
(3) G
(1, 2, 5, 6) D
P-Channel MOSFET
TSOP-6
Top View
6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-12
Gate-Source Voltage
V
GS
8
V
T
A
= 25 C
- 7.9
-5.9
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 85 C
I
D
- 5.7
-4.3
Pulsed Drain Current
I
DM
-20
A
Continuous Diode Current (Diode Conduction)
a
I
S
-1.7
-0.9
T
A
= 25 C
2.0
1.1
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 85 C
P
D
1.0
0.6
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
5 sec
45
62.5
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
90
110
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
25
30
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關PDF資料
PDF描述
SI3481DV P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Si3481DV-T1-E3 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3493DV P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI3493DV-T1 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI3493DV-T1-E3 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI3473DV-T1 功能描述:MOSFET 12V 7.9A 1.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3473DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 7.9A 2.0W 19mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3473DV-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
SI3473DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 7.9A 2.0W 23mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3475DV 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 200-V (D-S) MOSFET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*