參數(shù)資料
型號： SI3455DV
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Single P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
中文描述： 3600 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： SI3455DV
Si3455ADV
Vishay Siliconix
Document Number: 71090
S-40424—Rev. C, 15-Mar-04
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
r
D
)
0
100
200
300
400
500
600
700
0
6
12
18
24
30
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
0
3
6
9
0.00
0.06
0.12
0.18
0.24
0.30
0
4
8
12
16
20
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 V
I
D
= 3.5 A
I
D
Drain Current (A)
V
GS
= 10 V
I
D
V
GS
= 10 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
Q
g
Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.00
0.06
0.12
0.18
0.24
0.30
0
2
4
6
8
10
T
J
= 150 C
I
D
= 3.5 A
20
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
r
D
)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
S
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 25 C
r
D
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI3458DV N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI3483DV P-Channel 30-V (D-S) MOSFET to switch white LED's;
SI3483DV-T1-E3 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3586DV P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
SI3590DV N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SI3455DV-T1 功能描述:MOSFET 30V 3.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3455DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 3.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3456BDV 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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