參數(shù)資料
型號： Si3447BDV-T1-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道12 V的（副）MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 246K
代理商： SI3447BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SPICE Device Model Si3447DV
SPECIFICATIONS (T
J
= 25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Condition
Typical
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
μ
A
0.82
V
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
≥
5 V, V
GS
=
4.5 V
78
A
V
GS
=
4.5 V, I
D
=
5.2 A
0.037
V
GS
=
2.5 V, I
D
=
4.4 A
0.055
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
=
1.8 V, I
D
=
2.0 A
0.082
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
=
10 V, I
D
=
5.2 A
14
S
Diode Forward Voltage
a
Dynamic
b
V
SD
I
S
=
1.7 A, V
GS
= 0 V
0.80
V
Total Gate Charge
Q
g
14
Gate-Source Charge
Q
gs
3.5
Gate-Drain Charge
Q
gd
V
DS
=
6 V, V
GS
=
4.5 V, I
D
=
5.2 A
2.5
nC
Turn-On Delay Time
t
d(on)
59
Rise Time
t
r
28
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
120
Fall Time
t
f
V
DD
=
6 V, R
L
= 10
I
D
1 A, V
GEN
=
4.5 V, R
G
= 6
21
Source-Drain Reverse Recovery Time
t
rr
I
F
=
1.7 A, di/dt = 100 A/
μ
s
57
ns
Notes
a. Pulse test; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.
2
www.vishay.com
Document Number: 71520
S-50383
Rev. B, 21-Mar-05
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI3447 P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
SI3447DV P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
Si3456BDV-T1-E3 COOLER FOR TO-220 20 WATTS
SI3456BDV Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI3456DV N-Channel PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI3447BDV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 6.0A 2.0W 40mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3447CDV 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI3447CDV-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 7.8A 3.0W 36mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3447CDV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 7.8A 3.0W 36mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3447DV 功能描述:MOSFET SSOT6 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*