參數(shù)資料
型號(hào)： SI3456BDV
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 74K
代理商： SI3456BDV
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET
100% R
g
Tested
Si3456BDV
Vishay Siliconix
Document Number: 72544
S-404024—Rev. C, 15-Mar-04
www.vishay.com
1
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
30
0.035 @ V
GS
= 10 V
0.052 @ V
GS
= 4.5 V
6.0
4.9
(1, 2, 5, 6) D
(3) G
(4) S
N-Channel MOSFET
TSOP-6
Top View
6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
Ordering Information: Si3456BDV-T1—E3
Marking Code:
6Bxxx
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
6.0
4.5
T
A
= 70 C
4.8
3.6
A
Pulsed Drain Current
I
DM
30
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.7
0.9
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.0
1.1
W
T
A
= 70 C
1.3
0.7
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
5 sec
R
thJA
55
62.5
Steady State
92
110
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
28
40
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI3456DV N-Channel PowerTrench MOSFET
SI3457BDV P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3457BDV-T1 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3457BDV-T1-E3 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3457DV Single P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI3456BDV-T1 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,4.5A I(D),TSOP
SI3456BDV-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 5.1A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3456BDV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 6.0A 2.0W 35mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3456CDV 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3456CDV-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 7.8A 3.3W 34mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*