參數(shù)資料
型號： SI3445DV
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 5500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： SI3445DV
Si3445ADV
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72859
S-40582—Rev. A, 29-Mar-04
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
3
10
2
1
10
10
1
10
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
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PDF描述
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SI3447 P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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SI3445DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 8V 5.6A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3445DV-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor
SI3445DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 5.6A 2.0W 42mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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