參數(shù)資料
型號： SI3445DV
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 5500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： SI3445DV
Si3445ADV
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72859
S-40582—Rev. A, 29-Mar-04
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
r
D
)
0
400
800
1200
1600
2000
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
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5
0
3
6
9
12
15
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0
4
8
12
16
20
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 4 V
I
D
= 5.8 A
I
D
Drain Current (A)
V
GS
= 4.5 V
I
D
V
GS
= 1.8 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
Q
g
Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0
1
2
3
4
5
I
D
= 5.8 A
20
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
r
D
)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
S
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 150 C
V
GS
= 2.5 V
T
J
= 25 C
r
D
(
I
D
= 0.2 A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI3447DV P-Channel 1.8V (G-S) MOSFET
SI3447BDV P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
Si3447BDV-T1 P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
Si3447BDV-T1-E3 P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI3447 P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SI3445DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 8V 5.6A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3445DV-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor
SI3445DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 5.6A 2.0W 42mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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