參數(shù)資料
型號(hào)： Si1031X
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
中文描述： P通道20 - V（下局副局長）MOSFET的低閾值
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 42K
代理商： SI1031X
Si1031R/X
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71171
S-31507—Rev. B, 14-Jul-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C UNLESS NOTED)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-
r
D
)
0
20
40
60
80
100
120
0
4
8
12
16
20
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0
1
2
3
4
5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
5
10
15
20
25
0
200
400
600
800
1000
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 V
I
D
= 150 mA
I
D
- Drain Current (mA)
V
GS
= 4.5 V
I
D
V
GS
= 1.8 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
5
6
I
D
= 150 mA
1000
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 125 mA
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 1.8 V
I
D
= 125 mA
T
J
= 125 C
T
J
= 25 C
T
J
= -55 C
10
100
I
S
V
= 0 V
f = 1 MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI1032R N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1032R-T1 N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1032X-T1 N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1034X N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1035X P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI1031X-T1 功能描述:MOSFET 20V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI1031X-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI1031X-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 150mA 340mW 8.0ohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
Si1032-A-GM 功能描述:射頻微控制器 - MCU 32KB 8KB RAM PRGRM XCVR, DC-DC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:Si100x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:24 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:64 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:LGA-42 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝:Tube
Si1032-A-GMR 功能描述:射頻微控制器 - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, XCVR RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:Si100x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:24 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:64 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:LGA-42 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝:Tube
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