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參數(shù)資料
| 型號： | SI1026X |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
| 中文描述： | N通道60 - V（下局副局長）MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 39K |
| 代理商： | SI1026X |
Si1026X
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71434
S-03518
—
Rev. A, 23-Apr-01
www.vishay.com
3
0
300
600
900
1200
0
1
2
3
4
5
6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
1
2
3
4
5
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
V
GS
= 10 thru 7 V
3 V
5 V
4 V
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
T
J
=
–
55 C
125 C
25 C
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
150
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
–
Junction Temperature ( C)
V
GS
= 10 V @ 500 mA
V
= 4.5 V
@ 200 mA
(
–
r
)
0
1
2
3
4
5
6
7
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
V
DS
= 10 V
I
D
= 250 mA
Gate Charge
–
Q
g
–
Total Gate Charge (nC)
V
G
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
200
400
600
800
1000
On-Resistance vs. Drain Current
I
D
–
Drain Current (mA)
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
–
r
)
0
10
20
30
40
50
0
5
10
15
20
25
Capacitance
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
C
–
C
rss
C
oss
C
iss
V
= 0 V
f = 1 MHz
6 V
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| SI1026X-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
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