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參數資料
| 型號： | SI-8811L |
| 廠商： | SANKEN ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | 穩(wěn)壓器 |
| 英文描述： | Separate Excitation Switching Type with Transformer |
| 中文描述： | 0.45 A SWITCHING REGULATOR, 50 kHz SWITCHING FREQ-MAX, DMA9 |
| 文件頁數： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | SI-8811L |
106
I
Typical Characteristics
(T
a
=25
°
C)
SI-8811L
SI-8911L
SI-8921L
Rise Characteristics
Rise Characteristics
6
Rise Characteristics
6
Efficiency Characteristics
Efficiency Characteristics
Efficiency Characteristics
80
Input Voltage V
IN
(V)
V
O
2
O
1
6
4
2
0
–2
–4
–6
2
4
6
8
10 12
14
16 18
20
l
O
1=50mA l
O
2 =0mA
l
O
1=250mA l
O
2 =–20mA
l
O
1=450mA l
O
2 =–50mA
l
O
1=50mA l
O
2 =0mA
l
O
1=250mA l
O
2 =–20mA
l
O
1=450mA l
O
2 =–50mA
V
IN
(V)
0 50
250
100
150
200
300
400
450
350
500
Output Current 1 l
O
1 (A)
E
η
80
75
70
65
60
0
I
O
2 = –50mA constant
V
IN
=12V
15V
20V
25V
30V
4
2
0
–2
–4
–6
5
10
15
20
25
30
35
40
V
IN
(V)
Input Voltage V
IN
(V)
V
O
2
O
1
l
O
1
20 to 30mA
l
O
2
0 to 100mA
0
200
50
100
Output Current 1 l
O
1 (A)
150
250
300
350
400
80
70
60
50
40
30
0
E
η
I
O
2 = –100mA constant
V
IN
=55V
40V
24V
0
20
5
10
15
25
30
35
45
40
5
4
3
2
1
0
0.6A
l
O
=0
0.3A
Input Voltage V
IN
(V)
O
O
0
0.4
0.1
0.2
Output Current l
O
(A)
0.3
0.5
0.6
0.7
0.8
70
60
50
40
30
20
0
E
η
V
IN
=55V
40V
30V
24V
SI-8922L
Rise Characteristics
0
8
7
6
5
4
3
2
1
0
10
Input Voltage V
IN
(V)
Efficiency Characteristics
20
O
O
30
40
I
O
=
0
0
0
70
80
60
50
40
30
20
0
0.1
0.2
Output Current l
O
(A)
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
E
η
V
IN
=55V
40V
24V
G
SI-8800L/8900L Series
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI-8911L | Separate Excitation Switching Type with Transformer |
| SI-8922L | Separate Excitation Switching Type with Transformer |
| Si1012R | N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET(工作電壓1.8V的N溝道增強型MOSFET) |
| Si1013R | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET(工作電壓1.8V的P溝道增強型MOSFET) |
| SI1013R | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SI8812DB | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
| SI8812DB-T2-E1 | 功能描述:MOSFET 20V 3.2A 0.9W 0.059ohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI8816EDB-T2-E1 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET 30V 109mOhm@10V 2.3A N-Ch |
| SI8817DB | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
| SI8817DB-T2-E1 | 功能描述:MOSFET -20V 76mOhm@4.5V 2.9A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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