參數(shù)資料
型號(hào)： SI-8811L
廠商： SANKEN ELECTRIC CO LTD
元件分類(lèi)： 穩(wěn)壓器
英文描述： Separate Excitation Switching Type with Transformer
中文描述： 0.45 A SWITCHING REGULATOR, 50 kHz SWITCHING FREQ-MAX, DMA9
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 79K
代理商： SI-8811L
102
I
Features
Integrated switching IC and transformer construction
Requires only input/output and soft start capacitors as external components
Low switching noise
Heatsink not required
Built-in overcurrent protection circuit (+5V)
±
2–output lineup (SI-8811L, SI-8911L)
I
Applications
Telephone power supplies
Onboard local power supplies
I
Lineup
Separate Excitation Switching Type with Transformer
Unit
V
W
°
C
°
C
SI-8800L/8900L Series
I
Absolute Maximum Rating
Unit
V
mA
mA
°
C
Symbol
V
IN
I
O1
I
O2
T
op
*1: Output current 2 depends on the input/output conditions
*2: If I
O2
=50mA or more, the condition I
O1
>0.5
×
I
O2
is recommended.
I
Recommended Operating Conditions
Parameter
DC Input Voltage Range
Output Current Range 1
Output Current Range 2
Operating Temperature Range
Parameter
DC Input Voltage
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Part Number
SI-8811L
SI-8911L
SI-8921L/8922L
Ch1
Ch2
V
O
(V)
+5
I
O
(A)
0.45
V
O
(V)
–5
I
O
(A)
0.05
+5
0.3
–5
0.1
+5
0.6
Symbol
V
IN
P
D
T
j
T
stg
Ratings
SI-8811L
35
SI-8911L
SI-8921L
60
SI-8922L
1.15
1.3
1.67
1.67
+100
–25 to +85
Ratings
SI-8811L
SI-8911L
SI-8921L
SI-8922L
min.
typ.
max.
min.
typ.
max.
min.
typ.
max.
min.
typ.
max.
12
20
30
24
40
55
24
40
55
20
40
55
50
250
450
20
150
300
*2
0
300
600
0
300
600
0
–20
–50
*1
0
–50
–100
–10
+70
–10
+60
–10
+65
–10
+65
G
SI-8800L/8900L Series
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI-8911L Separate Excitation Switching Type with Transformer
SI-8922L Separate Excitation Switching Type with Transformer
Si1012R N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET(工作電壓1.8V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
Si1013R P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET(工作電壓1.8V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET)
SI1013R P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI8812DB 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SI8812DB-T2-E1 功能描述:MOSFET 20V 3.2A 0.9W 0.059ohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI8816EDB-T2-E1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET 30V 109mOhm@10V 2.3A N-Ch
SI8817DB 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SI8817DB-T2-E1 功能描述:MOSFET -20V 76mOhm@4.5V 2.9A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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