參數(shù)資料
型號： SI-8811L
廠商： SANKEN ELECTRIC CO LTD
元件分類： 穩(wěn)壓器
英文描述： Separate Excitation Switching Type with Transformer
中文描述： 0.45 A SWITCHING REGULATOR, 50 kHz SWITCHING FREQ-MAX, DMA9
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 79K
代理商： SI-8811L
104
I
Standard External Circuit
SI-8811L
SI-8911L
I
Block Diagram
SI-8921L/8922L
V
IN
(+)
T
r1
V
O1
9
1
4
2 S.S
5
6
3
8
7
V
O2
GND
T
1
V
IN
(–)
OSC
OCP
Reg.
Drive
Vref
Amp.
PWM
Start
3
1
Amp.
PWM
9
OSC
OCP
–Reg.
Drive
Vref
Start
2 S.S
T
r1
T
1
V
O1
8
V
O2
6
GND
7
5
4
V
IN
3
1
Amp.
PWM
7
OSC
OCP
Drive
Vref
Start
2 S.S
T
r1
T
1
V
O
6
V
IN
GND
5
SI-8811L
V
IN
(+)
V
O1
V
O2
GND
C
1
C
2
1
2
3
4
5
9
8
7
6
C
4
C
5
C
3
V
IN
(–)
+
+
+
+
+
SI-8911L
V
IN
V
O1
V
O2
GND
GND
C
1
C
2
C
3
1
2
3
4
5
9
8
C
5
C
4
+
+
+
+
+
6
7
SI-8921L
SI-8922L
V
IN
V
O
GND
GND
C
1
C
2
1
2
3
4
7
6
C
3
+
+
+
5
G
SI-8800L/8900L Series
C
1
(for smoothing V
IN
)
C
2
(for soft start)
C
3
(for smoothing V
O2
Reg input) : 10V/220
μ
F
C
4
(for smoothing V
O1
)
C
5
(for smoothing V
O2
)
: 35V/470
μ
F
: 16V/10
μ
F
: 16V/1200
μ
F
: 10V/47
μ
F
C
1,2,3,5
: Nippon Chemi-con SME Series or equivalent
C
4
: Nippon Chemi-con SXE Series or equivalent
C
1
(for smoothing V
IN
)
C
2
(for soft start)
C
3
(for smoothing V
O2
Reg input) : 10V/220
μ
F
C
4
(for smoothing V
O1
)
C
5
(for smoothing V
O2
)
: 63V/220
μ
F
: 10V/33
μ
F
: 16V/1200
μ
F
: 10V/100
μ
F
C
1,2,3,5
: Nippon Chemi-con SME Series or equivalent
C
4
: Nippon Chemi-con SXE Series or equivalent
C
1
(for smoothing V
IN
)
C
2
(for soft start)
C
3
(for smoothing V
O2
)
: 63V/180
μ
F
: 10V/22
μ
F
: 10V/1200
μ
F
C
1,2
C
3
: Nippon Chemi-con SME Series or equivalent
: Nippon Chemi-con SXE Series or equivalent
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI-8911L Separate Excitation Switching Type with Transformer
SI-8922L Separate Excitation Switching Type with Transformer
Si1012R N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET(工作電壓1.8V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
Si1013R P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET(工作電壓1.8V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET)
SI1013R P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI8812DB 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SI8812DB-T2-E1 功能描述:MOSFET 20V 3.2A 0.9W 0.059ohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI8816EDB-T2-E1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET 30V 109mOhm@10V 2.3A N-Ch
SI8817DB 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SI8817DB-T2-E1 功能描述:MOSFET -20V 76mOhm@4.5V 2.9A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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