參數資料
型號： SGB30N60
廠商： SIEMENS A G
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術中的快速 S-IGBT)
中文描述： 41 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
文件頁數： 3/12頁
文件大小： 268K
代理商： SGB30N60
SGP30N60
SGB30N60, SGW30N60
3
Mar-00
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=25
°
C
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
-
-
44
34
291
58
0.64
0.65
1.29
53
40
349
70
0.77
0.85
1.62
ns
T
j
=25
°
C,
V
CC
=400V,
I
C
=30A,
V
GE
=0/15V,
R
G
=11
,
Energy losses include
“tail” and diode
reverse recovery.
mJ
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=150
°
C
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
-
-
44
34
324
67
0.98
0.92
1.90
53
40
389
80
1.18
1.19
2.38
ns
T
j
=150
°
C
V
CC
=400V,
I
C
=30A,
V
GE
=0/15V,
R
G
= 11
Energy losses include
“tail” and diode
reverse recovery.
mJ
相關PDF資料
PDF描述
SGP30N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術中的快速 S-IGBT)
SGW30N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術中的快速 S-IGBT)
SGD-100T C to X Band, Mixer, Modulator Applications
SGD-100 GaAs Schottky Barrier Diode（C to X Band, Mixer, Modulator Applications）(應用于C到X帶寬，混頻器和調制器的砷化鎵肖特基勢壘二極管)
SGD102 C to X Band, Mixer, Modulator Applications
相關代理商/技術參數
參數描述
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