參數(shù)資料
型號(hào)： SGB30N60
廠商： SIEMENS A G
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
中文描述： 41 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
文件頁(yè)數(shù)： 10/12頁(yè)
文件大小： 268K
代理商： SGB30N60
SGP30N60
SGB30N60, SGW30N60
10
Mar-00
dimensions
symbol
[mm]
[inch]
min
max
min
max
A
4.78
5.28
0.1882
0.2079
B
2.29
2.51
0.0902
0.0988
C
1.78
2.29
0.0701
0.0902
D
1.09
1.32
0.0429
0.0520
E
1.73
2.06
0.0681
0.0811
F
2.67
3.18
0.1051
0.1252
G
0.76 max
0.0299 max
H
20.80
21.16
0.8189
0.8331
K
15.65
16.15
0.6161
0.6358
L
5.21
5.72
0.2051
0.2252
M
19.81
20.68
0.7799
0.8142
N
3.560
4.930
0.1402
0.1941
P
Q
3.61
0.1421
6.12
6.22
0.2409
0.2449
TO-247AC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGP30N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGW30N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGD-100T C to X Band, Mixer, Modulator Applications
SGD-100 GaAs Schottky Barrier Diode（C to X Band, Mixer, Modulator Applications）(應(yīng)用于C到X帶寬，混頻器和調(diào)制器的砷化鎵肖特基勢(shì)壘二極管)
SGD102 C to X Band, Mixer, Modulator Applications
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SGB30UFSMS 制造商:SSDI 制造商全稱(chēng):Solid States Devices, Inc 功能描述:60 mAMP 1000-3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER
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