參數(shù)資料
型號： SGB02N60
廠商： SIEMENS A G
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
中文描述： 6 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 276K
代理商： SGB02N60
SGP02N60, SGB02N60
SGD02N60, SGU02N60
3
Mar-00
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=25
°
C
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
-
-
20
13
259
52
0.036
0.028
0.064
24
16
311
62
0.041
0.036
0.078
ns
T
j
=25
°
C,
V
CC
=400V,
I
C
=2A,
V
GE
=0/15V,
R
G
=118
,
Energy losses include
“tail” and diode
reverse recovery.
mJ
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=150
°
C
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
-
-
20
14
287
67
0.054
0.043
0.097
24
17
344
80
0.062
0.056
0.118
ns
T
j
=150
°
C
V
CC
=400V,
I
C
=2A,
V
GE
=0/15V,
R
G
=118
Energy losses include
“tail” and diode
reverse recovery.
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGD02N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGP02N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術(shù)中的快速S-IGBT)
SGU02N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGB04N60 Fast IGBT in NPT-technology
SGD04N60 Fast IGBT in NPT-technology
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參數(shù)描述
SGB02N60_06 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation
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