參數(shù)資料
型號: SGB02N60
廠商: SIEMENS A G
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術中的快速 S-IGBT)
中文描述: 6 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
文件頁數(shù): 11/12頁
文件大小: 276K
代理商: SGB02N60
SGP02N60, SGB02N60
SGD02N60, SGU02N60
11
Mar-00
Figure A. Definition of switching times
I
r r m
90%
I
r r m
10%
I
r r m
di
/dt
r r
di /dt
t
r r
I
F
i,v
t
Q
S
Q
F
t
S
t
F
V
R
Q =Q
Q
S
F
+
t =t
t
S
F
+
Figure C. Definition of diodes
switching characteristics
p(t)
1
2
n
T (t)
τ
1
r
1
τ
2
r
2
n
n
τ
r
T
C
r
r
r
Figure D. Thermal equivalent
circuit
Figure B. Definition of switching losses
相關PDF資料
PDF描述
SGD02N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術中的快速 S-IGBT)
SGP02N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術中的快速S-IGBT)
SGU02N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術中的快速 S-IGBT)
SGB04N60 Fast IGBT in NPT-technology
SGD04N60 Fast IGBT in NPT-technology
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SGB02N60_06 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation
SGB02N60ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 600V 6A 30W TO263-3
SGB04N60 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 4A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGB04N60_06 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation
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