參數(shù)資料
型號: SD56120M
廠商: 意法半導體
英文描述: RF POWER TRANSISTORS The LdmoST FAMILY
中文描述: 射頻功率晶體管LdmoST家庭
文件頁數(shù): 4/8頁
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代理商: SD56120M
SD56120M
TYPICAL PERFORMANCE
Output Power & Efficiency vs. Input Power
4/8
0
1
2
3
4
5
6
Pin, INPUT POWER (W)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
P
20
30
40
50
60
70
80
90
100
N
Vdd = 32 V
Idq= 2 x 200 mA
f = 860 MHz
Eff
Pout
Power Gain vs. Output Power
1
10
100
1000
Pout, OUTPUT POWER (W)
12
13
14
15
16
17
18
19
20
G
Vdd = 32V
f = 860 MHz
Idq = 2 x 400mA
Idq = 2 x 600mA
Idq = 2 x 300mA
Idq = 2 x 200mA
Intermodulation Distortion vs. Output Power
Output Power vs. Drain Voltage
0
30
60
90
120
150
Pout, OUTPUT POWER (WPEP)
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
I
f1= 860 MHz
f2= 859.9 MHz
Vdd = 32 V
Idq = 2 x 625 mA
Idq = 2 x 400 mA
Idq = 2 x 200 mA
12
16
20
24
28
32
36
Vds, DRAIN VOLTAGE (V)
0
30
60
90
120
150
180
210
P
Vdd = 32 V
Idq = 2 x 200 mA
f = 860 MHz
Pin = 1.25 W
Pin = 2.5 W
Pin = 5 W
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