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參數資料
| 型號： | S71WS512NE0BFWZZ |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產品（MCP）的閃存和移動存儲芯片的CMOS 1.8伏特 |
| 文件頁數： | 133/142頁 |
| 文件大?。?/td> | 1996K |
| 代理商： | S71WS512NE0BFWZZ |
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June 28, 2004 S71WS512NE0BFWZZ_00_A1
128Mb pSRAM
133
P r e l i m i n a r y
TIMING DIAGRAMS (Continued)
Synchronous Write Timing #4 (WE# Level Control, Single Write)
Notes
*1: This timing diagram assumes CE2=H, the valid clock edge on rising edge and single write operation.
*2: Write data is latched on the valid clock edge.
ADDRESS
ADV#
DQ
WE#
OE#
LB#, UB#
CLK
Valid
CE#1
t
ASVL
t
AHV
t
VPL
t
CLCK
t
ASCL
WAIT#
High
High-Z
RL=5
t
BS
D
1
t
DHCK
t
DSCK
t
WCB
t
CKWH
t
WLD
Valid
t
ASVL
t
AHV
t
VPL
t
CLCK
t
ASCL
t
VSCK
t
BS
t
CP
t
WRB
t
VSCK
t
VHVL
t
CKBH
t
WLTH
t
WHTZ
t
WLTH
t
CKVH
t
CKVH
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71WS512NE0BFWZZ0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NE0BFWZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NE0BFWZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFEZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFEZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| S71WS512NE0BFWZZ0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NE0BFWZZ2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NE0BFWZZ3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512P | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Migrating from the S71WS512N to the S71WS512P |
| S71WS512PC0HF3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
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