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參數(shù)資料
| 型號： | S71WS512N80BFIZZ2 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的閃存和移動存儲芯片的CMOS 1.8伏特 |
| 文件頁數(shù)： | 84/142頁 |
| 文件大小： | 1996K |
| 代理商： | S71WS512N80BFIZZ2 |
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84
S29WSxxxN MirrorBit Flash Family For Multi-chip Products (MCP)
S71WS512NE0BFWZZ_00_ A1 June 28, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
AC Characteristics—Asynchronous
Asynchronous Mode Read @
V
IO
pS = 1.8 V
Notes:
1. Asynchronous Access Time is from the last of either stable addresses or the falling edge of AVD#.
2. Not 100% tested.
Timing Diagrams
Parameter
Description
54 MHz
66 MHz
Unit
JEDEC
Standard
t
CE
Access Time from CE# Low
Max
70
70
ns
t
ACC
Asynchronous Access Time
(Note 1)
Max
70
70
ns
t
AVDP
AVD# Low Time
Min
12
10
ns
t
AAVDS
Address Setup Time to Rising Edge of AVD#
Min
5
4
ns
t
AAVDH
Address Hold Time from Rising Edge of AVD#
Min
7
6
ns
t
OE
Output Enable to Output Valid
Max
13.5
11.2
ns
t
OEH
Output Enable Hold Time
Read
Min
0
ns
Toggle and Data# Polling
Min
10
8
ns
t
OEZ
Output Enable to High Z
(Note 2)
Max
10
8
ns
t
CAS
CE# Setup Time to AVD#
Min
0
ns
Note:
RA = Read Address, RD = Read Data.
Figure 18. Asynchronous Mode Read with Latched Addresses
tCE
WE#
Addresses
CE#
OE#
Valid RD
tACC
tOEH
tO
Data
tOEZ
tAAVDH
tAVDP
tAAVDS
AVD#
RA
tCAS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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