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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S71WS512N80BAIZZ2 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的閃存和移動(dòng)存儲(chǔ)芯片的CMOS 1.8伏特 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 39/142頁(yè) |
| 文件大小： | 1996K |
| 代理商： | S71WS512N80BAIZZ2 |
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June 28, 2004 S71WS512NE0BFWZZ_00_A1
S29WSxxxN MirrorBit Flash Family For Multi-chip Products (MCP)
39
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Table 10. Device Geometry Definition
Addresses
27h
28h
29h
2Ah
2Bh
2Ch
2Dh
2Eh
2Fh
30h
31h
32h
33h
34h
35h
36h
37h
38h
39h
3Ah
3Bh
3Ch
Data
Description
0019h (WS256N)
0001h
0000h
0005h
0000h
0003h
0003h
0000h
0080h
0000h
00FDh (WS256N)
0000h
0000h
0002h
0003h
0000h
0080h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
Device Size = 2
N
byte
Flash Device Interface description (refer to CFI publication 100)
Max. number of bytes in multi-byte write = 2
N
(00h = not supported)
Number of Erase Block Regions within device
Erase Block Region 1 Information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100)
Erase Block Region 2 Information
Erase Block Region 3 Information
Erase Block Region 4 Information
Table 11. Primary Vendor-Specific Extended Query
Addresses
Data
Description
40h
41h
42h
0050h
0052h
0049h
Query-unique ASCII string “PRI”
43h
0031h
Major version number, ASCII
44h
0034h
Minor version number, ASCII
45h
0010h
Address Sensitive Unlock (Bits 1-0)
0 = Required, 1 = Not Required
Silicon Technology (Bits 5-2) 0011 = 0.13 μm
46h
0002h
Erase Suspend
0 = Not Supported, 1 = To Read Only, 2 = To Read & Write
47h
0001h
Sector Protect
0 = Not Supported, X = Number of sectors in per group
48h
0000h
Sector Temporary Unprotect
00 = Not Supported, 01 = Supported
49h
0008h
Sector Protect/Unprotect scheme
08 = Advanced Sector Protection
4Ah
00DFh (WS256N)
Simultaneous Operation
Number of Sectors in all banks except boot bank
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PDF描述 |
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