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參數(shù)資料
| 型號： | S71GL064A80BFW0B3 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的閃存和RAM |
| 文件頁數(shù)： | 93/102頁 |
| 文件大小： | 1606K |
| 代理商： | S71GL064A80BFW0B3 |
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March 31, 2005 S71GL032A_00_A0
S71GL032A Based MCPs
93
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
DC Characteristics
Recommended DC Operating Conditions (Note 1)
Notes:
1. T
A
= -40 to 85
°
C, unless otherwise specified.
2. Overshoot: Vcc+ 1.0V in case of pulse width
≤
20ns.
3. Undershoot: -1.0V in case of pulse width
≤
20ns.
4. Overshoot and undershoot are sampled, not 100% tested.
Capacitance (f=1MHz, T
A
=25
°
C)
Note:
Capacitance is sampled, not 100% tested
DC Operating Characteristics
Common
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Supply voltage
V
CC
2.7
3.0
3.3
V
Ground
V
SS
0
0
0
V
Input high voltage
V
IH
2.2
-
V
CC
+ 0.2 (Note 2)
V
Input low voltage
V
IL
-0.2 (Note 3)
-
0.6
V
Item
Symbol
Test Condition
Min
Max
Unit
Input capacitance
C
IN
V
IN
= 0V
-
8
pF
Input/Output capacitance
C
IO
V
IO
= 0V
-
10
pF
Item
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
(Note)
Max
Unit
Input leakage current
I
LI
V
IN
= V
SS
to V
CC
-1
-
1
μ
A
Output leakage current
I
LO
CS1#= V
IH
or CS2= V
IL
or OE#= V
IH
or
WE#= V
IL
or LB#= UB#= V
IH
, V
IO
= V
ss
to V
CC
-1
-
1
μ
A
Output low voltage
V
OL
I
OL
= 2.1mA
-
-
0.4
V
Output high voltage
V
OH
I
OH
= -1.0mA
2.4
-
-
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71GL064A80BFW0F3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
| S71PL254 | STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| S71GL064A80BFW0F2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
| S71GL064A80BFW0F3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
| S71GL064AA0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM |
| S71GL064AA0-0K | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM |
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