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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29NS032J0PBFW003 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 1.8V PROM, 65 ns, PBGA44 |
| 封裝： | 7.70 X 6.20 MM, LEAD FREE, FBGA-44 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 67/85頁(yè) |
| 文件大小： | 799K |
| 代理商： | S29NS032J0PBFW003 |
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March 22, 2006 S29NS-J_00_A10
S29NS-J
63
D a t a S h e e t
AC Characteristics
Notes:
1. A
cc
can be left high for subsequent programming pulses.
2. Use setup and hold times from conventional program operation.
Figure 17. Accelerated Unlock Bypass Programming Timing
CE#
AVD#
WE#
Amax
–
A16
A/DQ15
–
A/DQ0
CE#
V
PP
Don't Care
Don't Care
A0h
PA
PA
PD
V
ID
V
IL
or V
IH
t
VPP
t
VPS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29NS032J0PBJW00 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032J0PBJW000 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032J0PBJW002 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032J0PBJW003 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032JPLBAW000 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29NS032J0PBJW00 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032J0PBJW000 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032J0PBJW002 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032J0PBJW003 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032JPLBAW000 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
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