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參數(shù)資料
| 型號： | S29NS032J0PBFW003 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 1.8V PROM, 65 ns, PBGA44 |
| 封裝： | 7.70 X 6.20 MM, LEAD FREE, FBGA-44 |
| 文件頁數(shù)： | 59/85頁 |
| 文件大?。?/td> | 799K |
| 代理商： | S29NS032J0PBFW003 |
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March 22, 2006 S29NS-J_00_A10
S29NS-J
55
D a t a S h e e t
AC Characteristics
CLK Characterization
Figure 10. CLK Characterization
Parameter
Description
0P
(66 MHz)
0L
(54 MHz)
Unit
f
CLK
CLK Frequency
Max
66
54
MHz
t
CLK
CLK Period
Min
15
18.5
ns
t
CH
CLK High Time
Min
3.5
4.5
ns
t
CL
CLK Low Time
t
CR
CLK Rise Time
Max
3
3
ns
t
CF
CLK Fall Time
tCLK
tCL
tCH
tCR
tCF
CLK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29NS032J0PBJW00 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032J0PBJW000 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032J0PBJW002 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032J0PBJW003 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032JPLBAW000 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29NS032J0PBJW00 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032J0PBJW000 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032J0PBJW002 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032J0PBJW003 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032JPLBAW000 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
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