- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄365400 > S29NS032J0PBFW000 (SPANSION LLC) 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29NS032J0PBFW000 |
| 廠(chǎng)商： | SPANSION LLC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 1.8V PROM, 65 ns, PBGA44 |
| 封裝： | 7.70 X 6.20 MM, LEAD FREE, FBGA-44 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 63/85頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 799K |
| 代理商： | S29NS032J0PBFW000 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)當(dāng)前第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)
March 22, 2006 S29NS-J_00_A10
S29NS-J
59
D a t a S h e e t
AC Characteristics
Hardware Reset (RESET#)
Note:
Not 100% tested.
Parameter
Description
All Speed Options
Unit
JEDEC
Std
t
Readyw
RESET# Pin Low (During Embedded Algorithms)
to Read Mode (
See Note
)
Max
35
μs
t
Ready
RESET# Pin Low (NOT During Embedded
Algorithms) to Read Mode (
See Note
)
Max
500
ns
t
RP
RESET# Pulse Width
Min
500
ns
t
RH
Reset High Time Before Read (
See Note
)
Min
200
ns
t
RPD
RESET# Low to Standby Mode
Min
20
μs
RESET#
tRP
tReady
Reset Timings NOT during Embedded Algorithms
tReady
CE#, OE#
tRH
CE#, OE#
Reset Timings during Embedded Algorithms
RESET#
tRP
Figure 14. Reset Timings
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29NS032J0PBFW002 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032J0PBFW003 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032J0PBJW00 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032J0PBJW000 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032J0PBJW002 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29NS032J0PBFW002 | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032J0PBFW003 | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032J0PBJW00 | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032J0PBJW000 | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032J0PBJW002 | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。