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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL128N90TFIV12 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| 中文描述： | 3.0伏只頁面模式閃存具有110納米MirrorBit⑩工藝技術(shù) |
| 文件頁數(shù)： | 77/100頁 |
| 文件大?。?/td> | 952K |
| 代理商： | S29GL128N90TFIV12 |
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S29GL-N_00_B3 October 13, 2006
S29GL-N MirrorBit Flash Family
75
D a t a S h e e t
Test Conditions
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Figure 9. Test Setup
Table 17. Test Specifications
Note:
If V
IO
< V
CC
, the reference level is 0.5 V
IO
.
Test Condition
All Speeds
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0.0–V
IO
V
Input timing measurement reference levels (See
Note)
0.5V
IO
V
Output timing measurement reference levels
0.5 V
IO
V
2.7 k
Ω
C
L
6.2 k
Ω
3.3 V
Device
Under
Test
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128N90TFIV13 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N90TFIV20 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N90TFIV22 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N90TFIV23 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
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參數(shù)描述 |
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| S29GL128P10FAI020 | 制造商:Spansion 功能描述: 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 16MX8/8MX16 100NS 64BGA - Trays 制造商:Spansion 功能描述:SPZS29GL128P10FAI020 IC 128M FLASH BGA |
| S29GL128P10FAI022 | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 16MX8/8MX16 100NS 64BGA - Tape and Reel |
| S29GL128P10FAIR20 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL128P10FFI010 | 功能描述:閃存 128Mb 3V 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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