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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL128N10TAIV12 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| 中文描述： | 3.0伏只頁面模式閃存具有110納米MirrorBit⑩工藝技術(shù) |
| 文件頁數(shù)： | 10/100頁 |
| 文件大?。?/td> | 952K |
| 代理商： | S29GL128N10TAIV12 |
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S29GL-N MirrorBit Flash Family
S29GL-N_00_B3 October 13, 2006
D a t a S h e e t
Connection Diagrams
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OE#
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CE#
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NC
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IO
NC for S29GL256N
and S29GL128N
NC for S29GL128N
56-Pin Standard TSOP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128N10FAI010 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N10FAI012 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N10FAI013 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N10FAI020 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N10FAI022 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL128N10TF101 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL128N10TFI010 | 功能描述:IC FLASH 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-N 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NOR 存儲容量:128Mb （16M x 8，8M x 16） 寫周期時間 - 字，頁:100ns 訪問時間:100ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商器件封裝:56-TSOP 標準包裝:91 |
| S29GL128N10TFI020 | 制造商:Spansion 功能描述:S29GL128N10TFI020 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL128N11FAI020 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
| S29GL128N11FAI023 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA T/R |
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