參數(shù)資料
型號(hào)： S29GL064N90TFIV60
廠商： SPANSION LLC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
中文描述： 4M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48
封裝： LEAD FREE, MO-142EC, TSOP-48
文件頁(yè)數(shù)： 64/79頁(yè)
文件大?。?/td> 2191K
代理商： S29GL064N90TFIV60
64
S29GL-N MirrorBit
Flash Family
S29GL-N_01_09 November 16, 2007
D a t a
S h e e t
15. AC Characteristics
Notes
1. Not 100% tested.
2. See
Figure 14.1 on page 63
and
Table 14.1 on page 63
for test specifications.
Figure 15.1
V
CC
Power-up Diagram
Table 15.1
Read-Only Operations
Parameter
Description
Test Setup
Speed Options
Unit
JEDEC
Std.
90
110
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
RC
t
ACC
t
CE
Read Cycle Time
(Note 1)
Min
90
110
ns
Address to Output Delay
CE#, OE# = V
IL
OE# = V
IL
V
IO
= V
CC
= 3 V
V
IO
= 1.8 V, V
CC
= 3 V
V
IO
= V
CC
= 3 V
V
IO
= 1.8 V, V
CC
= 3 V
Max
90
110
ns
Chip Enable to Output Delay
Max
90
110
ns
t
PACC
Page Access Time
Max
25
25
ns
—
30
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
Max
25
25
ns
—
30
t
EHQZ
t
GHQZ
t
DF
t
DF
Chip Enable to Output High Z
(Note 1)
Max
20
ns
Output Enable to Output High Z
(Note 1)
Max
20
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From Addresses, CE# or OE#,
Whichever Occurs First
Min
0
ns
t
OEH
Output Enable Hold
Time
(Note 1)
Read
Min
0
ns
Toggle and
Data# Polling
Min
10
ns
V
CC
RE
S
ET#
t
VC
S
CE#
V
CC
min
V
IH
t
RH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29GL064N90TFIV62 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
S29GL256M10FFIR23 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90BDIR02 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90BDIR03 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90BDIR10 MOSFET, Switching; VDSS (V): 200; ID (A): 25; Pch : 30; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.036; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: -; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 2200; toff (µs) typ: 0.11; Package: TO-220FN
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
S29GL064S70BHI030 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:48-FBGA（8.15x6.15） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:338
S29GL064S70BHI040 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:48-FBGA（8.15x6.15） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:338
S29GL064S70FHI010 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:64-LBGA 供應(yīng)商器件封裝:64-FBGA（11x13） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:180
S29GL064S70FHI020 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:64-LBGA 供應(yīng)商器件封裝:64-FBGA（11x13） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:180
S29GL064S70TFA013 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 56TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類(lèi)型:非易失 存儲(chǔ)器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:64Mb （4M x 16） 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè):60ns 訪問(wèn)時(shí)間:70ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:56-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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