參數(shù)資料
型號： S29GL064N90TFIV60
廠商： SPANSION LLC
元件分類： DRAM
英文描述： 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
中文描述： 4M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48
封裝： LEAD FREE, MO-142EC, TSOP-48
文件頁數(shù)： 45/79頁
文件大?。?/td> 2191K
代理商： S29GL064N90TFIV60
November 16, 2007 S29GL-N_01_09
S29GL-N MirrorBit
Flash Family
45
D a t a
S h e e t
Figure 10.1
Write Buffer Programming Operation
Notes
1. When Sector Address is specified, any address in the selected sector is acceptable. However, when loading Write-Buffer address
locations with data, all addresses must fall within the selected Write-Buffer Page.
2. DQ7 may change simultaneously with DQ5. Therefore, DQ7 should be verified.
3. If this flowchart location was reached because DQ5=
1
, then the device FAILED. If this flowchart location was reached because DQ1=
1
,
then the Write to Buffer operation was ABORTED. In either case, the proper reset command must be written before the device can begin
another operation. If DQ1=
1
, write the Write-Buffer-Programming-Abort-Reset command. if DQ5=
1
, write the Reset command.
4. See
Table 10.1 on page 51
and
Table 10.3 on page 53
for command sequences required for write buffer programming.
Write “Write to B
u
ffer
”
comm
a
nd
a
nd
S
ector Addre
ss
Write n
u
m
b
er of
a
ddre
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s
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s
ector
a
ddre
ss
FAIL or ABORT
PA
SS
Re
a
d DQ7 - DQ0
a
t
L
as
t Lo
a
ded Addre
ss
Re
a
d DQ7 - DQ0 with
a
ddre
ss
= L
as
t Lo
a
ded
Addre
ss
Write next
a
ddre
ss
/d
a
t
a
p
a
ir
WC = WC - 1
WC = 0
P
a
rt of
“
Write to B
u
ffer
”
Comm
a
nd
S
e
qu
ence
Ye
s
Ye
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s
No
No
No
No
No
No
A
b
ort Write to
B
u
ffer Oper
a
tion
DQ7 = D
a
t
a
DQ7 = D
a
t
a
DQ5 = 1
DQ1 = 1
Write to
bu
ffer ABORTED.
M
us
t write
“
Write-to-
bu
ffer
A
b
ort Re
s
et
”
comm
a
nd
s
e
qu
ence to ret
u
rn
to re
a
d mode.
(Note 2)
(Note
3
)
(Note 1)
相關PDF資料
PDF描述
S29GL064N90TFIV62 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
S29GL256M10FFIR23 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90BDIR02 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90BDIR03 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90BDIR10 MOSFET, Switching; VDSS (V): 200; ID (A): 25; Pch : 30; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.036; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: -; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 2200; toff (µs) typ: 0.11; Package: TO-220FN
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參數(shù)描述
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S29GL064S70BHI040 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商器件封裝:48-FBGA（8.15x6.15） 標準包裝:338
S29GL064S70FHI010 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:64-LBGA 供應商器件封裝:64-FBGA（11x13） 標準包裝:180
S29GL064S70FHI020 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:64-LBGA 供應商器件封裝:64-FBGA（11x13） 標準包裝:180
S29GL064S70TFA013 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 56TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:閃存 技術:FLASH - NOR 存儲容量:64Mb （4M x 16） 寫周期時間 - 字，頁:60ns 訪問時間:70ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商器件封裝:56-TSOP 標準包裝:1
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