參數(shù)資料
型號： S29GL064N90TFIV12
廠商： Spansion Inc.
英文描述： 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
中文描述： 64兆，32兆位3.0伏只頁面模式閃存具有110納米MirrorBit工藝技術(shù)
文件頁數(shù)： 78/79頁
文件大小： 2191K
代理商： S29GL064N90TFIV12
78
S29GL-N MirrorBit
Flash Family
S29GL-N_01_09 November 16, 2007
D a t a
S h e e t
18. Revision History
Section
Description
Revision 01 (February 12, 2007)
Initial release.
Revision 02 (February 26, 2007)
Global
Replaced LAE064 package with LAA064.
Page Mode Read
Corrected bit ranges in first paragraph.
Erase And Programming Performance
Modified maximum sector erase time in table.
Revision 03 (March 15, 2007)
Connection Diagrams
64-ball Fortified BGA (LAA 064) figure:
Changed inputs for balls F1 and F7.
Revision 04 (July 6, 2007)
Ordering Information
Removed regulated V
CC
range and replaced 90 ns with 110 ns for low V
IO
option
Added Note 4 to PACKAGE MATERIAL SET Standard option
Sector Addresses table
Corrected a table
TSOP Pin and BGA Package
Capacitance
Added values for TSOP
Revision 05 (August 10, 2007)
Ordering Information
Removed leaded parts
CFI Table
Altered Erase Block Region 1 & 2
Revision 06 (September 18, 2007)
Global
Change document status to Full Production
Removed 70ns access speed
Command Definitions (x16 mode) Table
Corrected addresses for Program operation
Command Definitions (x8 mode) Table
Corrected addresses for Program operation
Revision 07 (October 22, 2007)
Global
Removed VID (12V) Sector protect & unprotect features
Primary Vendor-Specific Extended
Query Table
Updated the data of CFI address 45hex
Revision 08 (November 2, 2007)
Primary Vendor-Specific Extended
Query Table
Updated the data of CFI address 2D hex thru 34 hex.
S29GL064N (Model 04) Bottom Boot
Sector Addresses Table
Updated S29GL064N (Model 04) Bottom Boot Sector Addresses
Revision 09 (November 16, 2007)
Erase and Program Operations Table
Changed t
DS
from 45 ns to 35 ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29GL064N90TFIV20 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
S29GL064N90TFIV22 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
S29GL064N90TFIV60 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
S29GL064N90TFIV62 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
S29GL256M10FFIR23 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
S29GL064S70BHI030 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:48-FBGA（8.15x6.15） 標(biāo)準包裝:338
S29GL064S70BHI040 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:48-FBGA（8.15x6.15） 標(biāo)準包裝:338
S29GL064S70FHI010 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:64-LBGA 供應(yīng)商器件封裝:64-FBGA（11x13） 標(biāo)準包裝:180
S29GL064S70FHI020 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:64-LBGA 供應(yīng)商器件封裝:64-FBGA（11x13） 標(biāo)準包裝:180
S29GL064S70TFA013 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 56TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NOR 存儲容量:64Mb （4M x 16） 寫周期時間 - 字，頁:60ns 訪問時間:70ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:56-TSOP 標(biāo)準包裝:1
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