參數(shù)資料
型號(hào): S29GL064N90TFIV12
廠商: Spansion Inc.
英文描述: 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
中文描述: 64兆,32兆位3.0伏只頁(yè)面模式閃存具有110納米MirrorBit工藝技術(shù)
文件頁(yè)數(shù): 63/79頁(yè)
文件大?。?/td> 2191K
代理商: S29GL064N90TFIV12
November 16, 2007 S29GL-N_01_09
S29GL-N MirrorBit
Flash Family
63
D a t a
S h e e t
14. Test Conditions
Figure 14.1
Test Setup
Note
Diodes are IN3064 or equivalent.
14.1
Key to Switching Waveforms
Figure 14.2
Input Waveforms and Measurement Levels
Table 14.1
Test Specifications
Test Condition
All Speeds
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0.0 or V
IO
V
Input timing measurement reference levels
0.5 V
IO
V
Output timing measurement reference levels
0.5 V
IO
V
2.7 k
Ω
C
L
6.2 k
Ω
3.3 V
Device
Under
Test
Waveform
Inputs
Outputs
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
VCC
0.0 V
Output
Measurement Level
Input
0.5 V
IO
0.5 V
IO
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29GL064N90TFIV20 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
S29GL064N90TFIV22 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
S29GL064N90TFIV60 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
S29GL064N90TFIV62 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
S29GL256M10FFIR23 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
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參數(shù)描述
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S29GL064S70BHI040 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:64M(4M x 16) 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:48-FBGA(8.15x6.15) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:338
S29GL064S70FHI010 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:64M(4M x 16) 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:64-LBGA 供應(yīng)商器件封裝:64-FBGA(11x13) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:180
S29GL064S70FHI020 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:64M(4M x 16) 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:64-LBGA 供應(yīng)商器件封裝:64-FBGA(11x13) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:180
S29GL064S70TFA013 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 56TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:非易失 存儲(chǔ)器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:64Mb (4M x 16) 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):60ns 訪問(wèn)時(shí)間:70ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:56-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:56-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1