- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385799 > S29GL064N90TFIV10 (SPANSION LLC) 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | S29GL064N90TFIV10 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO56 |
| 封裝： | LEAD FREE, MO-142EC, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 49/79頁 |
| 文件大小： | 2191K |
| 代理商： | S29GL064N90TFIV10 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁當(dāng)前第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁
November 16, 2007 S29GL-N_01_09
S29GL-N MirrorBit
Flash Family
49
D a t a
S h e e t
Figure 10.4
Erase Operation
Notes
1. See
Table 10.1
and
Table 10.3
for program command sequence.
2. See the section on DQ3 for information on the sector erase timer.
S
TART
Write Er
as
e
Comm
a
nd
S
e
qu
ence
(Note
s
1, 2)
D
a
t
a
Poll to Er
as
ing
B
a
nk from
S
y
s
tem
D
a
t
a
= FFh
No
Ye
s
Er
asu
re Completed
Em
b
edded
Er
as
e
a
lgorithm
in progre
ss
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL064N90TFIV12 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N90TFIV20 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N90TFIV22 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N90TFIV60 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N90TFIV62 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL064S70BHI030 | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:48-FBGA（8.15x6.15） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:338 |
| S29GL064S70BHI040 | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:48-FBGA（8.15x6.15） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:338 |
| S29GL064S70FHI010 | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:64-LBGA 供應(yīng)商器件封裝:64-FBGA（11x13） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:180 |
| S29GL064S70FHI020 | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:64-LBGA 供應(yīng)商器件封裝:64-FBGA（11x13） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:180 |
| S29GL064S70TFA013 | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 56TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NOR 存儲容量:64Mb （4M x 16） 寫周期時間 - 字，頁:60ns 訪問時間:70ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:56-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。