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參數(shù)資料
| 型號： | S1T8528X0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | ENHANCED-1 CHIP CT0 RF IC |
| 中文描述： | 強化- 1射頻集成電路芯片CT0 |
| 文件頁數(shù)： | 8/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 1905K |
| 代理商： | S1T8528X0 |
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S1T8528
ENHANCED-1 CHIP CT0 RF IC
8
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Operating Voltage
Vcc
2.0
5.5
V
RECEIVER
( V
CC
= 3.6V, f
C
= 49.7MHz, f
DEV
=
±
3kHz, f
MOD
= 1kHz,Ta = 25°C, unless otherwise specified )
Sensitivity
(input for 12dB SINAD)
V
SEN
MIX1 Matched Impedance
Input
0.7
2.0
μ
Vrms
Input for -3dB Limiting
V
LIM
MIX1 Matched Impedance
Input
0.7
2.0
μ
Vrms
S/N Ratio
S/N
RFin = 1mVrms
48
55
dB
Recovered Audio Output
V
O(RA)
RFin = 1mVrms,
After 2nd stage LPF
147
177
207
mVrms
Recovered Audio Output
Voltage Drop
V
O(RAD
)
Vcc = 5.5V
→
2.0V
RFin = 1mVrms
3.0
1.5
dB
Detector Output Resistance
R
O(DET)
RFin = 1mVrms
1.2
K
Detect Output Voltage
V
O(DET)
RFin = 1mVrms
1.0
1.5
2.0
V
Detector Output Distortion
THD
DET
RFin = 1mVrms
(with CCITT Filter)
1.0
2.5
%
Comparator Threshold
Voltage Difference
V
TH
V
COMP
= 360mVp-p
R
HYS
= 180K
70
110
150
mV
Comparator Output Voltage 1 V
OH
V
COMP
=360mVp-p
R
HYS
= 180k
Vcc-0.4
V
Comparator Output Voltage 2 V
OL
V
COMP
= 360mVp-p
R
HYS
= 180k
0.1
0.4
V
First Mixer Conversion
Voltage Gain
G
V(1M)
V
MIX1 1/2
= 1mVrms
R
L
= 330k
12
15
18
dB
Second Mixer Conversion
Voltage Gain
G
V(2M)
V
MIX2
= 1mVrms
R
L
= 1.5k
18
22
26
dB
Demodulator Bandwidth
DBW
RFin = 1mVrms
10
kHz
Limiter Input Sensitivity
V
I(LIM)
Fc = 455kHz ,
3dB Limiting
20
40
uVrms
AM Rejection Ratio
AMRR
RFin = 1mVrms
AM MOD = 30% @1kHz
MIX1 Input 50
Termination
40
dB
First Mixer 3rd Order
Intercept Point
IMD3
15
dBm
First Mixer Input Impedance
R
I(1M)
/
C
I(1M)
Fc = 50MHz
690
7.2
pF
First Mixer output Impedance Ro
(1M)
Fc = 10.7MHz
330
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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