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參數(shù)資料
| 型號： | S1T8528X0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | ENHANCED-1 CHIP CT0 RF IC |
| 中文描述： | 強(qiáng)化- 1射頻集成電路芯片CT0 |
| 文件頁數(shù)： | 7/35頁 |
| 文件大小： | 1905K |
| 代理商： | S1T8528X0 |
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ENHANCED-1 CHIP CT0 RF IC
S1T8528
7
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
CURRENT CONSUMPTION AT EACH MODE ( VCC = 3.6V )
CURRENT CONSUMPTION IN EACH BLOCK ( VCC = 3.6V )
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Maximum Supply Voltage
Vcc
5.5
V
Power Dissipation
P
D
600
mW
Operating Temperature
T
OPR
20 — + 70
°
C
Storage Temperature
T
SCG
55 — + 150
°
C
Modes
Min.
Typ.
Max.
Active mode (Communication mode )
8.9mA
RX mode
4.8mA
Stand-by mode
700uA
Inactive mode (Battery Saving Mode)
50uA
70uA
Modes
Min.
Typ.
Max.
Receiver part
3.5mA
4.6mA
Expander part
0.8mA
1.1mA
Speaker part
1.0mA
1.4mA
compressor part
1.7mA
2.1mA
PLL
RX part
1.2mA
1.6mA
TX part
0.7mA
1.1mA
Total
8.9mA
11.9mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S1T8528 | ENHANCED-1 CHIP CT0 RF IC |
| S1T8528X01-Q0R0 | IC, 10/100 BASE-T PHY TRANSCEIVER |
| S289P | Silicon Darlington Phototransistor(極高靈敏度的硅達(dá)林頓光晶體管) |
| S326SYGWA-S530-E2 | Technical Data Sheet 0.28 single digit Displays |
| S350P | Silicon NPN Phototransistor(用于檢測器，集電極電流50mA的NPN光晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S1T8528X01-Q0R0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:ENHANCED-1 CHIP CT0 RF IC |
| S1T8531 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:WIDEBAND FM/FSK IF RECEIVER |
| S1T8531X01-S0B0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:WIDEBAND FM/FSK IF RECEIVER |
| S1T8536 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2.4GHZ-2.5GHZ SINGLE-CHIP RF TRANSCEIVER |
| S1T8536X01-T0R0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2.4GHZ-2.5GHZ SINGLE-CHIP RF TRANSCEIVER |
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