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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S1T8528X0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | ENHANCED-1 CHIP CT0 RF IC |
| 中文描述： | 強(qiáng)化- 1射頻集成電路芯片CT0 |
| 文件頁數(shù)： | 16/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 1905K |
| 代理商： | S1T8528X0 |
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S1T8528
ENHANCED-1 CHIP CT0 RF IC
16
Auxiliary Register (16 Bits)
Auxiliary Register Function
**** TEST Mode & LDT-CDO Mode
Bit
Bit 15
Bit 14
Bit 13
Bit 12
Bit 11
Bit 10
Bit 9
Bit 8
Name
PMC
CLO5
CLO4
CLO3
CLO2
CLO1
CLO0
CD_TH3
Description
Auxiliary
register
Selection
Cap=5.9p
Cap=4.8p
Cap=3.2p
Cap=1.6p
Cap=1.3p
Cap=0.8p
CD_TH
Control_3
Function
*****
Program
Mode
Control
1
’
st LO Cap Select
CD
Control_3
Bit
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
Name
CD_TH2
CD_TH1
CD_TH0
LBD3
LBD2
LBD1
TEST2
TEST1
Description
CD_TH
Control_2
CD_TH
Control_1
CD_TH
Control_0
LBD
Control_3
LBD
Control_2
LBD
Control_1
TEST
Mode2
TEST
Mode1
Function
Carrier Detector
Threshold Control
Low Battery Detector
Voltage Control
**** TEST Mode &
LDT-CDO Mode
LDT/CDO
TEST1
TEST2
LDT / CDO
Remark
0
0
0
Rx block CDO
Default
1
0
Rx block CDO
0
1
4_25cnt block FR2
1
1
4_25cnt block FR2
1
0
0
PLL block LDT
1
0
PLL block LDT
0
1
Test PLL_RX
1
0
Test PLL_TX
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S1T8528 | ENHANCED-1 CHIP CT0 RF IC |
| S1T8528X01-Q0R0 | IC, 10/100 BASE-T PHY TRANSCEIVER |
| S289P | Silicon Darlington Phototransistor(極高靈敏度的硅達(dá)林頓光晶體管) |
| S326SYGWA-S530-E2 | Technical Data Sheet 0.28 single digit Displays |
| S350P | Silicon NPN Phototransistor(用于檢測(cè)器，集電極電流50mA的NPN光晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S1T8528X01-Q0R0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:ENHANCED-1 CHIP CT0 RF IC |
| S1T8531 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:WIDEBAND FM/FSK IF RECEIVER |
| S1T8531X01-S0B0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:WIDEBAND FM/FSK IF RECEIVER |
| S1T8536 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2.4GHZ-2.5GHZ SINGLE-CHIP RF TRANSCEIVER |
| S1T8536X01-T0R0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2.4GHZ-2.5GHZ SINGLE-CHIP RF TRANSCEIVER |
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