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參數(shù)資料
| 型號： | RQG2001UR-TL-E |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | NPN Silicon Germanium Transistor High Frequency Medium Power Amplifier |
| 中文描述： | NPN硅鍺晶體管高頻介質(zhì)功率放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 1/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 252K |
| 代理商： | RQG2001UR-TL-E |
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REJ03G1554-0100 Rev.1.00 Aug 10, 2007
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RQG2001URAQF
NPN Silicon Germanium Transistor
High Frequency Medium Power Amplifier
REJ03G1554-0100
Rev.1.00
Aug 10, 2007
Features
Ideal for 2 GHz Band applications. e.g 2.4 GHz WLAN, Digital cordless phone.
Low Distortion and Excellent Linearity
IP3 at output = +30 dBm typ., P1dB at output = +19 dBm typ., f = 1.8 GHz
High Transition Frequency
f
T
= 20 GHz typ.
High Collector to Emitter Voltage
V
CEO
= 5 V
Outline
RENESAS Package code: PTSP0004ZA-A
(Package name: CMPAK-4)
1. Emitter
2. Collector
3. Emitter
4. Base
1
4
3
2
Note:
Marking is “UR-”.
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Item
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Pc
Tj
Tstg
Ratings
13
5
1.5
100
450
note1
150
–55 to +150
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Notes: 1. Value on PCB (FR-4 : 20 x 20 x 1.0 mm double side)
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