型號: | RQL1001JLAQH |
廠商: | Renesas Technology Corp. |
英文描述: | SiGe MMIC High Frequency Low Noise Amplifier |
中文描述: | 硅鍺MMIC的高頻低噪聲放大器 |
文件頁數(shù): | 1/9頁 |
文件大小: | 278K |
代理商: | RQL1001JLAQH |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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RQL1001JLTL-E | SiGe MMIC High Frequency Low Noise Amplifier |
RQM2201DNS | Silicon N Channel MOS FET Power Switching |
RQM2201DNSTL-E | Silicon N Channel MOS FET Power Switching |
RQM2201DNSTR-E | Silicon N Channel MOS FET Power Switching |
RR1220P-120-D | high-precision metal film chip resistors |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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RQL1001JLTL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:SiGe MMIC High Frequency Low Noise Amplifier |
RQL101M2GBKF1636 | 功能描述:鋁質電解電容器 - 帶引線 400 Volts 100uF 16X36 RoHS:否 制造商:Kemet 引線類型: 電容:220 uF 容差:20 % 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍: 端接類型:Radial 外殼直徑:8 mm 外殼長度:11 mm 引線間隔:5 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors 封裝:Bulk |
RQL101M2WBKF1840 | 功能描述:鋁質電解電容器 - 帶引線 450 Volts 100uF 18X40 RoHS:否 制造商:Kemet 引線類型: 電容:220 uF 容差:20 % 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍: 端接類型:Radial 外殼直徑:8 mm 外殼長度:11 mm 引線間隔:5 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors 封裝:Bulk |
R-QL165W/840 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:165 WATT INDUCTION LAMP |
RQL330M2WBKF1330 | 功能描述:鋁質電解電容器 - 帶引線 450 Volts 33uF 13X30 RoHS:否 制造商:Kemet 引線類型: 電容:220 uF 容差:20 % 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍: 端接類型:Radial 外殼直徑:8 mm 外殼長度:11 mm 引線間隔:5 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors 封裝:Bulk |