參數資料
型號： RN4991
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
中文描述： npn型硅外延型（厘進程）硅外延式進步黨（厘進程）
文件頁數： 4/6頁
文件大?。?/td> 263K
代理商： RN4991
RN4991
2001-06-07
4
Q1
相關PDF資料
PDF描述
RN5003 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN5006 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN6001 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN6006 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RNA50C27AUS CMOS System-Reset IC
相關代理商/技術參數
參數描述
RN4991(T5L,F,T) 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50volts 6Pin 10Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
RN4991FS(TPL3) 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50mA 20volts 6Pin 10Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
RN4992AFS 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN4992FS 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN4992FS(TPL3) 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50mA 20volts 6Pin 22Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*