參數(shù)資料
型號(hào)： RN4989
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
中文描述： npn型硅外延型（厘進(jìn)程）硅外延式進(jìn)步黨（厘進(jìn)程）
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 216K
代理商： RN4989
RN4989
2001-06-07
3
Q1 Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test
Circuit
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
I
CBO
―
V
CB
= 50V, I
E
= 0
―
―
100
Collector cut-off current
I
CEO
―
V
CE
= 50V, I
B
= 0
―
―
500
nA
Emitter cut-off current
I
EBO
―
V
EB
= 15V, I
C
= 0
0.167
―
0.311
mA
DC current gain
h
FE
―
V
CE
= 5V, I
C
= 10mA
70
―
―
―
Collector-emitter saturation voltage
V
CE (sat)
―
I
C
= 5mA, I
B
= 0.25mA
―
0.1
0.3
V
Input voltage (ON)
V
I (ON)
―
V
CE
= 0.2V, I
C
= 5mA
2.2
―
5.8
V
Input voltage (OFF)
V
I (OFF)
―
V
CE
= 5V, I
C
= 0.1mA
1.5
―
2.6
V
Transition frequency
f
T
―
V
CE
= 10V, I
C
= 5mA
―
250
―
MHz
Collector output capacitance
C
ob
―
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 1 MHz
―
3
6
pF
Q2 Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test
Circuit
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
I
CBO
―
V
CB
=
50V, I
E
= 0
―
―
100
Collector cut-off current
I
CEO
―
V
CE
=
50V, I
B
= 0
―
―
500
nA
Emitter cut-off current
I
EBO
―
V
EB
=
15V, I
C
= 0
0.167
―
0.311
mA
DC current gain
h
FE
―
V
CE
=
5V, I
C
=
10mA
70
―
―
―
Collector-emitter saturation voltage
V
CE (sat)
―
I
C
=
5mA, I
B
=
0.25mA
―
0.1
0.3
V
Input voltage (ON)
V
I (ON)
―
V
CE
=
0.2V, I
C
=
5mA
2.2
―
5.8
V
Input voltage (OFF)
V
I (OFF)
―
V
CE
=
5V, I
C
=
0.1mA
1.5
―
2.6
V
Transition frequency
f
T
―
V
CE
=
10V, I
C
=
5mA
―
200
―
MHz
Collector output capacitance
C
ob
―
V
CB
=
10V, I
E
= 0
―
3
6
pF
Q1, Q2 Common Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test
Circuit
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Input resistor
R1
―
―
32.9
47
61.1
k
Resistor ratio
R1/R2
―
―
1.92
2.14
2.35
―
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PDF描述
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RN6001 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
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RN4989FS(TPL3) 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 47K x 22Kohms Polarity=NPN+PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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RN4990(T5L,F,T) 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50volts 6Pin 4.7Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
RN4990AFS 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
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