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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RN2211 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) |
| 中文描述： | 東芝晶體硅外延式進(jìn)步黨（厘進(jìn)程） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/5頁(yè) |
| 文件大小： | 159K |
| 代理商： | RN2211 |
RN2210,RN2211
2001-06-07
2
Electrical Characteristics (Ta = 25
°°°°C)
Characteristic
Symbol
Test
Circuit
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
―
VCB = 50V, IE = 0
―
100
nA
Emitter cut-off current
IEBO
―
VEB = 5V, IC = 0
―
100
nA
DC current gain
hFE
―
VCE = 5V, IC = 1mA
120
―
400
―
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
―
IC = 5mA, IB = 0.25mA
―
0.1
0.3
V
Translation frequency
fT
―
VCE = 10V, IC = 5mA
―
200
―
MHz
Collector output capacitance
Cob
―
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz
―
3
6
pF
RN2210
3.29
4.7
6.11
Input resistor
RN2211
R1
―
7
10
13
k
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