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參數(shù)資料
| 型號： | RN2211 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) |
| 中文描述： | 東芝晶體硅外延式進步黨（厘進程） |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 159K |
| 代理商： | RN2211 |
RN2210,RN2211
2001-06-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2210,RN2211
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
l With built-in bias resistors
l Simplify circuit design
l Reduce a quantity of parts and manufacturing process
l Complementary to RN1210, 1211
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Ta = 25
°°°°C)
Characterisstic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
100
mA
Collector power dissipation
PC
300
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55~150
°C
JEDEC
―
EIAJ
―
TOSHIBA
2-4E1A
Weight: 0.13g
Unit: mm
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| RN222-0.6-02 | 功能描述:共模濾波器/扼流器 0.6A 47mH/path CURRENT-COMPENSATED RoHS:否 制造商:TDK 電感: 阻抗:35 Ohms 容差: 最大直流電流:0.1 A 最大直流電阻:1.5 Ohms 自諧振頻率: Q 最小值: 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:0302 (0806 metric) 系列:TCE |
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