參數(shù)資料
型號： RN2113FT
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)
中文描述： 東芝晶體硅外延式進步黨（厘進程）（偏置電阻內(nèi)置晶體管）
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 84K
代理商： RN2113FT
RN2112FT,RN2113FT
2002-01-24
2
Electrical Characteristics
(Ta 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
50 V, I
E
0
100
nA
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
5 V, I
C
0
100
nA
DC current gain
h
FE
V
CE
5 V, I
C
1 mA
120
400
Collector-emitter saturation voltage
V
CE (sat)
I
C
5 mA, I
B
0.25 mA
0.1
0.3
V
Transition frequency
f
T
V
CE
10 V, I
C
5 mA
200
MHz
Collector output capacitance
C
ob
V
CB
10 V, I
E
0, f 1 MHz
3
6
pF
RN2112FT
15.4
22
28.6
Input resistor
RN2113FT
R1
32.9
47
61.1
k
Type Name
Marking
RN1112FT
RN1113FT
Type name
Y N
Type name
Y P
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PDF描述
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