參數(shù)資料
型號(hào)： RN1963FE
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)
中文描述： 東芝npn型晶體管硅外延型（厘進(jìn)程）（偏置電阻內(nèi)置晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 95K
代理商： RN1963FE
RN1961FE~RN1966FE
2002-01-29
2
Electrical Characteristics
(Ta 25°C)
(Q1, Q2 common)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
I
CBO
V
CB
50 V, I
E
0
100
Collector cut-off current
RN1961FE~1966FE
I
CEO
V
CE
50 V, I
B
0
500
nA
RN1961FE
0.82
1.52
RN1962FE
0.38
0.71
RN1963FE
0.17
0.33
RN1964FE
V
EB
10 V, I
C
0
0.082
0.15
RN1965FE
0.078
0.145
Emitter cut-off current
RN1966FE
I
EBO
V
EB
5 V, I
C
0
0.074
0.138
mA
RN1961FE
30
RN1962FE
50
RN1963FE
70
RN1964FE
80
RN1965FE
80
DC current gain
RN1966FE
h
FE
V
CE
5 V, I
C
10 mA
80
Collector-emitter
saturation voltage
RN1961FE~1966FE
V
CE (sat)
I
C
5 mA,
I
B
0.25 mA
0.1
0.3
V
RN1961FE
1.1
2.0
RN1962FE
1.2
2.4
RN1963FE
1.3
3.0
RN1964FE
1.5
5.0
RN1965FE
0.6
1.1
Input voltage (ON)
RN1966FE
V
I (ON)
V
CE
0.2 V, I
C
5 mA
0.7
1.3
V
RN1961FE~1964FE
1.0
1.5
Input voltage (OFF)
RN1965FE, 1966FE
V
I (OFF)
V
CE
5 V, I
C
0.1 mA
0.5
0.8
V
Transition frequency
RN1961FE~1966FE
f
T
V
CE
10 V, I
C
5 mA
250
MHz
Collector output
capacitance
RN1961FE~1966FE
C
ob
V
CB
10 V, I
E
0,
f 1 MHz
3
6
pF
RN1961FE
3.29
4.7
6.11
RN1962FE
7
10
13
RN1963FE
15.4
22
28.6
RN1964FE
32.9
47
61.1
RN1965FE
1.54
2.2
2.86
Input resistor
RN1966FE
R1
3.29
4.7
6.11
k
RN1961FE~1964FE
0.9
1.0
1.1
RN1965FE
0.0421 0.0468 0.0515
Resistor ratio
RN1966FE
R1/R2
0.09
0.1
0.11
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