參數(shù)資料
型號： RN1710JE
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)
中文描述： npn型硅外延型（厘進(jìn)程）（偏置電阻內(nèi)置晶體管）
文件頁數(shù)： 2/6頁
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代理商： RN1710JE
RN1710JE,RN1711JE
2004-03-01
2
Electrical Characteristics (Ta
=
25°C) (Q1, Q2 common)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
100
nA
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
=
5 V, I
C
=
0
100
nA
DC current gain
h
FE
V
CE
=
5 V, I
C
=
1 mA
120
700
Collector-emitter saturation voltage
V
CE (sat)
I
C
=
5 mA, I
B
=
0.25 mA
0.1
0.3
V
Transition frequency
f
T
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
250
MHz
Collector output capacitance
C
ob
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
3
6
pF
RN1710JE
3.29
4.7
6.11
Input resistor
RN1711JE
R1
7
10
13
k
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PDF描述
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