- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄381067 > RN1411 (Toshiba Corporation) TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RN1411 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
| 中文描述： | 東芝npn型晶體管硅外延型（厘進(jìn)程） |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 161K |
| 代理商： | RN1411 |
RN1410,RN1411
2001-06-07
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RN1414 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
| RN1415 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
| RN1416 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
| RN1417 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
| RN1418 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RN1411(TE85L，F(xiàn)) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| RN1411T5LFT | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| RN1412 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
| RN1413 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
| RN1413TE85,F | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。